中國工程院院士丁榮軍：第三代半導體技術未來十年復合增速將超20% 當前熱訊

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上證報記者俞立嚴攝

上證報中國證券網(wǎng)訊（記者俞立嚴）6月29日，中國在浙江瑞安召開的工程2023國際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會上，中國工程院院士丁榮軍表示，院院以碳化硅為代表的士丁術未速第三代半導體技術（包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術）已經(jīng)開始獲得應用，并具有很大的榮軍性能及市場潛力，將在未來十年獲得高達年復合20%以上的第代快速增長。

丁榮軍指出，半導在電動汽車的體技應用驅(qū)動、性價比權衡、年復消費慣性等因素影響下，合增未來十年Si-IGBT仍將是超當功率半導體器件的主流，并將與碳化硅功率器件長期并存。前熱

丁榮軍預測，中國隨著硅基材料逐漸逼近其物理極限，工程功率半導體將朝著更高的院院禁帶寬度、熱導率和材料穩(wěn)定性等方向發(fā)展，功率器件技術演進將助力新能源汽車向高性能、充電快、長續(xù)航等方向發(fā)展。

（文章來源：上海證券報·中國證券網(wǎng)）

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